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    Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA

    2020-04-09 09:34:29

     
    用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM
     
    用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項(xiàng)
    每次使用MRAM進(jìn)行寫操作都會(huì)立即保持至少20年的非易失性。沒有數(shù)據(jù)從易失性存儲(chǔ)單元傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)單元,也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件,高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時(shí)間,使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇,而不會(huì)影響系統(tǒng)性能。
     
    EVERSPIN內(nèi)存
    Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個(gè)需要高速,可靠,非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用中。
     
    MR2A16A與CY14B104NA的比較
    Everspin MRAM解決方案提供:
    •始終非易失。沒有不可靠的電容器相關(guān)備用周期
    •不需要Vcap或Vbatt
    •立即斷電(<1ns),無(wú)數(shù)據(jù)丟失
    •沒有復(fù)雜的軟件存儲(chǔ)/調(diào)用例程
    •快速啟動(dòng)時(shí)間(2ms和20ms)
    •無(wú)限的讀寫周期-無(wú)磨損問題
    •20年數(shù)據(jù)保留,無(wú)循環(huán)依賴
    •更少的組件意味著更小的設(shè)計(jì)尺寸和更低的BOM成本
    •直接替代賽普拉斯NV-SRAM
     
    兼容性
    Everspin MR2A16AxYS35(44-TSOP2)和MR2A16AxMA35(FBGA)存儲(chǔ)器的引腳,時(shí)序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。
     
    時(shí)序兼容性
    Everspin MRAM和nvSRAM都具有標(biāo)準(zhǔn)的兼容異步SRAM時(shí)序。但是MRAM即使在斷電后無(wú)限制的時(shí)間和整個(gè)溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時(shí)間,與類似的nvSRAM速度等級(jí)選項(xiàng)兼容。
     
    請(qǐng)務(wù)必注意,Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時(shí)間,從寫使能(和芯片使能)高到地址無(wú)效。大多數(shù)微處理器可以容納這個(gè)保持時(shí)間。


    Everspin MR2A16Axxx35x系列型號(hào)表格
    Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs)/ T&R
    4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 1,500
    4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 1,500
    4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP2 3.3V Extended 1,500
    4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500
    4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 2,000
    4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 2,000
    4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended 2,000


    本文關(guān)鍵詞: MRAM

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