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    ?Everspin的MRAM技術

    2018-05-10 10:18:31

    Everspin的MRAM技術使用垂直MTJ。該公司開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設計,可提供長數(shù)據(jù)保持率,小單元尺寸,更高密度,高耐用性和低功耗。
    除了金融技術等特定行業(yè)垂直領域,它們在采用MRAM方面看重價值,Patla表示Everspin目標針對三個存儲區(qū):人工智能(AI),邊緣計算和數(shù)字轉換,其中包括數(shù)據(jù)中心應用。由于MRAM只在讀寫時使用,因此隨著數(shù)據(jù)中心外處理需求的增加和物聯(lián)網(wǎng)部署的增長,它非常適合邊緣計算環(huán)境。
     
    Patla表示,價格并不是MRAM采用的關鍵驅動因素。相反,需要快速持久記憶的特定應用程序正在指導客戶的決策。 “人們正在基于價值主張購買,而不是每GB的美元,”他說。
     
    目前,Coughlin Associates的創(chuàng)始人Thomas Coughlin表示,MRAM的價格仍然相當高,但它是最有趣的新興存儲技術,因為它的性能接近SRAM和DRAM,其耐久性非常高。 Coughlin表示MRAM對高速緩存的緩存有意義,對于特定的應用,比如用于金融應用的nvNITRO NVMe存儲加速器。
     
    “快速完成交易很重要,但記錄同樣重要,”考夫林說,“這是一個有趣的案例研究。時間就是金錢,他們賺的錢比他們花的還多。“
     
    考夫林表示,專門的利基市場愿意為MRAM的速度和非波動性的組合支付費用。他指出,Everspin已經出貨了超過7000萬個單位,并且它與晶圓和嵌入式產品GlobalFoundries的合作關系為增加數(shù)量提供了可能性。滿足吸引更多音量的利基市場將有助于Everspin的MRAM變得更加主流。 “這就是GlobalFoundries的產品進來的地方,”他說。

    本文關鍵詞:everspin

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