MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢。MRAM芯片代理供應(yīng)商英尚微電子介紹關(guān)于MRAM的應(yīng)用場景。
 
  •工業(yè)、汽車、航空電子和太空應(yīng)用
  -溫度范圍寬，軟錯誤率低，比Flash更可靠
 
  •物聯(lián)網(wǎng)和關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)
  -斷電時立即備份
  -無需從Flash啟動
  -無需復(fù)制到DRAM或SRAM
 
  •醫(yī)療系統(tǒng)
  -快速數(shù)據(jù)記錄
 
  •企業(yè)數(shù)據(jù)存儲
  -寫入緩沖區(qū)、元數(shù)據(jù)存儲器、索引存儲器
 
  •更換LP SRAM、NOR閃存、EEPROM
 
  •豐富的嵌入式應(yīng)用程序
  -在高性能多處理器系統(tǒng)中替換大型緩存
  -用于人工智能系統(tǒng)的分布式持久存儲器
  -更換eFlash、eSRAM和eDRAM

本文關(guān)鍵詞：MRAM,SRAM

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