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    Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM

    2018-07-16 14:43:57

    Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序,沒有寫入延遲,而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同,這些存儲(chǔ)器的讀/寫操作沒有寫入延遲。

    對(duì)于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,這些Everspin MRAM可以說是理想的存儲(chǔ)器解決方案。此系列MRAM采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝,并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。

    MR25H40CDC能夠運(yùn)行于工業(yè)級(jí)(-40°至+85 °C)并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力,并可以保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失20年,已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸領(lǐng)域。

    以下是Everspin串口MRAM的型號(hào):

    Density
    Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
    4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V -40℃to+85℃
    4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
    4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40 ℃to +85℃
    4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
    4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V -40℃to+85℃
    1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
    1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
    256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
    256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128ACDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128ACDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128APDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128APDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃
    128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃

    本文關(guān)鍵詞:Everspin 串行MRAM

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