ReRAM可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM產(chǎn)生的問題
2022-04-22 09:32:14
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁數(shù)據(jù)重寫的客戶設(shè)備尋求更大密度的
FRAM產(chǎn)品的同時(shí)，一直在開發(fā)新的非易失性存儲器以滿足頻繁數(shù)據(jù)讀取的要求，從而引入了這種新的 12Mbit ReRAM產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案不斷開發(fā)各種低功耗內(nèi)存產(chǎn)品以滿足客戶的需求。
MB85AS12MT是一款具有 12Mbit 存儲密度的非易失性存儲器，可在 1.6V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的 ReRAM 產(chǎn)品的內(nèi)存密度是現(xiàn)有 8Mbit ReRAM 的 1.5 倍，同時(shí)保持相同的封裝尺寸 WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝）和相同的引腳分配。
| 型號 |
MB85AS12MT |
| 密度（配置） |
12Mbit (1.5M x 8bit) |
| 界面 |
SPI接口 |
| 工作電壓 |
1.6V 至 3.6V |
| 工作溫度范圍 |
-40°C 至 +85°C |
| 閱讀耐力 |
無限 |
| 寫耐力 |
500,000 次 |
| 封裝 |
11pin WL-CSP |
| 低功耗 |
讀取電流：0.15mA (Ave.) at 5MHz operation
讀取電流：1.0mA (Max.) at 10MHz operation
寫入電流：2.5mA (Max.) at 10MHz operation
休眠電流：8μA (Max.) |
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲器是一種非易失性存儲器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結(jié)構(gòu)，制造工藝非常簡單，同時(shí)仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題。
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲器是一種非易失性存儲器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結(jié)構(gòu)，制造工藝非常簡單，同時(shí)仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。
富士通ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題。
案例1
問題：8Mbit ReRAM 的內(nèi)存密度不足
解決方案：使用與 8Mbit 產(chǎn)品具有相同引腳分配的 12Mbit ReRAM。
好處：提高最終產(chǎn)品的性能
案例2
問題：由于安裝面積的限制，需要保持較小的封裝尺寸
解決方案：在非常小的封裝中使用 12Mbit ReRAM。
好處：在提高性能的同時(shí)保持小尺寸
案例3
問題：傳統(tǒng)非易失性存儲器難以降低功耗
解決方案：使用讀取電流非常小的 ReRAM。
好處：延長最終產(chǎn)品的電池壽命（減少電池更換次數(shù)）
本文關(guān)鍵詞：?ReRAM,富士通,FRAM
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