FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。鐵電存儲器是一種具有高讀寫耐久性和快速寫入速度，功耗低等優(yōu)點的高性能和高可靠性存儲器。
 
本篇文章鐵電存儲器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲芯片的常見問題和解決方案。
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問題：由于寫耐久性規(guī)范的限制，難以更頻繁地記錄數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM保證10萬億讀/寫周期
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問題：有突發(fā)事故或斷電寫入數(shù)據(jù)丟失的風險
解決方案：使用具有快速寫入功能的FRAM，以保護斷電寫入數(shù)據(jù)
 
狀態(tài)：使用SRAM
問題：難以取出電池以保留數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM作為非易失性存儲器
 
總之，鐵電存儲器產(chǎn)品為客戶帶來了諸如減少開發(fā)負擔、增強客戶產(chǎn)品性能和降低成本等好處。
 
本文關(guān)鍵詞：鐵電存儲器,FRAM,鐵電RAM

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